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HSEM系列電磁鐵霍爾效應(yīng)測試系統(tǒng)由電磁鐵、霍爾測試儀、控制器、樣品變溫選件等部分組成。根據(jù)選取配置不同最高可實(shí)現(xiàn)±1.5T的磁場、10K樣品最低溫度、1273K樣品最高溫度等性能。具有磁場范圍大、溫區(qū)廣等特點(diǎn)。可滿足客戶在不同溫度或不同磁場下對(duì)材料的電阻率、載流子濃度、載流子類型、霍爾系數(shù)、電子遷移率等參數(shù)進(jìn)行測量。

系統(tǒng)特點(diǎn)：

? 具有連續(xù)可變的磁場環(huán)境，可選±0.8T或±1.5T兩種配置
? 具有較豐富的溫度選件，包含：室溫、液氮單點(diǎn)、10K-400K閉循環(huán)低溫選件、室溫-1273K高溫選件
? 遷移率范圍：0.01-10^6
? 可測樣品電阻范圍：10mΩ-100GΩ
? 載流子濃度：8 × 102 到 8 × 1023 cm-3
? 室溫屏蔽盒為樣品提供室溫測試環(huán)境，提供多種室溫樣品卡，滿足各種規(guī)格的樣品的霍爾測試。
? 可通過滑軌快速切換低溫恒溫器與室溫屏蔽盒，可快速切換樣品或更換樣品環(huán)境，提高換樣效率。

測試材料：

? 熱電材料：碲化鉍、碲化鉛、硅鍺合金等
? 光伏材料/太陽能電池：（A硅（單晶硅、非晶硅）CIGS（銅銦鎵硒）、碲化鎘、鈣鈦礦等）
? 有機(jī)材料：（OFET、OLED）
? 透明導(dǎo)電金屬氧化物TCO：（ITO、AZO、ZnOIGZO（銦鎵鋅氧化物）等）
? 半導(dǎo)體材料：SiGe、InAs、SiC、InGaAs、GaN、SiC、InP、ZnO、Ga2O3等
? 二維材料：石墨烯、BN、MoS2

參數(shù)和指標(biāo)：

• 集成電路
• 芯片
• 晶圓片