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產(chǎn)品中心

永磁鐵變溫霍爾測(cè)試系統(tǒng) HSPM-05VT

永磁鐵變溫霍爾測(cè)試系統(tǒng) HSPM-05VT

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

HSPM-05VT變溫霍爾測(cè)試系統(tǒng)能樣品提供一個(gè)85K到500K的連續(xù)變溫、0.5T垂直磁場(chǎng)測(cè)試環(huán)境,可以測(cè)試變溫下的霍爾參數(shù)。雙層樣品座設(shè)計(jì),底部為光學(xué)樣品座,通過(guò)增加四探針加四接線柱樣品座蓋板實(shí)現(xiàn)探針樣品座功能。接線柱支持增加探針,改造為六探針樣品座,能同時(shí)滿足霍爾巴樣品和范德堡樣品的測(cè)試。

產(chǎn)品概述

HSPM-05VT變溫霍爾測(cè)試系統(tǒng)由霍爾測(cè)試儀、液氮存儲(chǔ)式恒溫器以及永磁鐵運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)組成,可以給樣品提供一個(gè)85K到500K的連續(xù)變溫、0.5T垂直磁場(chǎng)測(cè)試環(huán)境,可以測(cè)試變溫下的霍爾參數(shù),為既需要低溫又需要高溫的科學(xué)實(shí)驗(yàn)提供了極大的便利。這是一款性價(jià)比極高,也是使用用戶較多的霍爾測(cè)試系統(tǒng),可以實(shí)現(xiàn)較大范圍的溫度測(cè)試,也可配其它電表,作為一個(gè)純粹的溫度環(huán)境和磁環(huán)境用于其它測(cè)試。


系統(tǒng)特點(diǎn):
? 雙層樣品座設(shè)計(jì),底部為光學(xué)樣品座,通過(guò)增加四探針加四接線柱樣品座蓋板實(shí)現(xiàn)探針樣品座功能。接線柱支持
增加探針,改造為六探針樣品座,能同時(shí)滿足霍爾巴樣品和范德堡樣品的測(cè)試。
? 裝有調(diào)節(jié)支架,可調(diào)整恒溫器豎直方向的位置。
? 磁鐵移動(dòng)裝置可使永磁鐵前后移動(dòng)和翻轉(zhuǎn)。
? 可快速打開(kāi)樣品室,更換樣品。
? 液氮可以通過(guò)頂端的液氮補(bǔ)充口方便的灌裝,補(bǔ)充液氮不會(huì)影響系統(tǒng)的控溫。
? 恒溫器帶有液氮流量調(diào)節(jié)桿,可以用來(lái)調(diào)節(jié)恒溫器的冷量。
? 與低溫同軸電纜和三同軸/SMA接頭配合使用,漏電流小于1pA@1V。
? 內(nèi)置加熱器和傳感器與外部的控溫儀配合實(shí)現(xiàn)低溫恒溫器的變溫和控溫。


測(cè)試材料:
? 熱電材料:碲化鉍、碲化鉛、硅鍺合金等
? 光伏材料/太陽(yáng)能電池:(A硅(單晶硅、非晶硅)
CIGS(銅銦鎵硒)、碲化鎘、鈣鈦礦等)
? 有機(jī)材料:(OFET、OLED)
? 透明導(dǎo)電金屬氧化物TCO:(ITO、AZO、ZnO
IGZO(銦鎵鋅氧化物)等)
? 半導(dǎo)體材料:SiGe、InAs、SiC、InGaAs、GaN、
SiC、InP、ZnO、Ga2O3等
? 二維材料:石墨烯、BN、MoS2等


技術(shù)參數(shù)

參數(shù)和指標(biāo):

標(biāo)準(zhǔn)電阻范圍
10mΩ-100GΩ
遷移率
10-2-106cm2/VS
載流子濃度
8x102-8x1023/cm3
電壓激勵(lì)范圍
100nV ~ 10V
電流激勵(lì)范圍
10pA ~ 100mA
測(cè)試方法
范德堡或霍爾巴
樣品尺寸
Φ50mm
樣品接觸方式
四探針樣品座,可升級(jí)六探針或接線柱
樣品溫度
85-500K
樣品環(huán)境
真空
磁場(chǎng)
0.5T
磁場(chǎng)調(diào)節(jié)方式
手動(dòng)位移及翻轉(zhuǎn)
磁鐵間隙
30mm
磁場(chǎng)均勻區(qū)
10mm*10mm*10mm優(yōu)于5%

應(yīng)用領(lǐng)域

  • 集成電路
  • 芯片
  • 晶圓片

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