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HSPM-05PS室溫探針臺(tái)霍爾測(cè)試系統(tǒng)可以為精密微?。{米級(jí)）的微電子器件提供一個(gè)固定磁場(chǎng)的測(cè)試環(huán)境，通過(guò)顯微鏡將被測(cè)樣品放大，用高精度微探針進(jìn)行扎針，外部連接霍爾測(cè)量?jī)x可進(jìn)行霍爾測(cè)試和分析。 

HSPM-05PS室溫探針霍爾測(cè)試系統(tǒng)為最大8英寸待測(cè)樣品、器件提供了一個(gè)垂直磁場(chǎng)環(huán)境。外部連接其他電測(cè)儀表可在室溫下對(duì)芯片、晶圓和器件進(jìn)行非破壞電學(xué)測(cè)試，比如不同磁場(chǎng)下電流、電壓、電阻等電學(xué)信號(hào)等。

系統(tǒng)特點(diǎn)：

?穩(wěn)定的雙位移調(diào)節(jié)系統(tǒng)，可以調(diào)節(jié)樣品座和探針臂的位移 
?樣品座可以放置最大8英寸的晶圓樣品，采用多孔分區(qū)控制氣體吸附固定。 
?能自動(dòng)控制永磁鐵的前后運(yùn)動(dòng)和N.S極翻轉(zhuǎn)，并且能精準(zhǔn)定位，磁場(chǎng)大小0.5T 
?最多可安裝6個(gè)探針臂 
?探針臂采用磁鐵吸附，可任意移動(dòng)，并且可以三維微調(diào)操作方便，扎針精準(zhǔn)，四個(gè)探針臂的探針可以扎到樣品的任意位置。 
?探針臂采用三同軸線纜和三同軸接頭，漏電流小，在100fA以內(nèi) 
?CCD最大放大倍數(shù)為180倍，最大工作距離為100mm

測(cè)試材料：

? 熱電材料：碲化鉍、碲化鉛、硅鍺合金等
? 光伏材料/太陽(yáng)能電池：（A硅（單晶硅、非晶硅）、CIGS（銅銦鎵硒）、碲化鎘、鈣鈦礦等）
? 有機(jī)材料：（OFET、OLED）
? 透明導(dǎo)電金屬氧化物TCO：（ITO、AZO、ZnO、IGZO（銦鎵鋅氧化物）等）
? 半導(dǎo)體材料：SiGe、InAs、SiC、InGaAs、GaN、SiC、InP、ZnO、Ga2O3等
? 二維材料：石墨烯、BN、MoS2等

參數(shù)和指標(biāo)：

標(biāo)準(zhǔn)電阻范圍	10mΩ-100GΩ
遷移率	10-2-106cm2/VS
載流子濃度	8x102-8x1023/cm3
霍爾電壓	分辨率為 1μV
電壓激勵(lì)范圍	100nV ~ 10V
電流激勵(lì)范圍	10pA ~ 100mA
測(cè)試方法	范德堡或霍爾巴
樣品尺寸	200mm
樣品接觸方式	三維精細(xì)位移探針臂扎針，最小滿足 3μm電極扎針
樣品溫度	室溫
樣品環(huán)境	大氣，可選氮?dú)夥諊?br />
磁場(chǎng)	0.5T
磁場(chǎng)調(diào)節(jié)方式	電動(dòng)位移及翻轉(zhuǎn)
磁鐵間隙	30mm
磁場(chǎng)均勻區(qū)	10mm*10mm*10mm優(yōu)于5%

• 集成電路
• 芯片
• 晶圓片